FT UNJ Hadirkan Pakar dari Universiti Sains Malaysia dalam Visiting Professor

Ikuti kami

Bagikan

  1. Home
  2. »
  3. Kontributor
  4. »
  5. DPM Prodi Hubungan Masyarakat dan Komunikasi…

Berita Terbaru

Kantor Humas dan IP UNJ Raih 5 Penghargaan Pada Ajang IDEAS 2025, Dari Juara Budaya Inklusif hingga Manajemen Krisis

Humas UNJ Raih Penghargaan 3 Tahun Berturut-turut pada Ajang AHI

FT UNJ Kembangkan Kurikulum Adaptif bersama Pakar dari Universiti Sains Malaysia

UNJ Gelar Pemilihan Mahasiswa Disabilitas Berprestasi 2026

Dorong Hilirisasi Inovasi, UNJ Gelar Riset Expo dan LPPM Award 2026

Tingkatkan Profesionalisme Dosen UNJ, BP3 UNJ Gelar Pelatihan Applied Approach (AA) 2026 secara Daring

UNJ dan Goethe-Institut Indonesia Jalin Kolaborasi untuk Penguatan Literasi Sains Pelajar

Jakarta, Humas UNJ — Fakultas Teknik Universitas Negeri Jakarta (FT UNJ) menyelenggarakan kegiatan Visiting Professor dengan menghadirkan akademisi internasional dari Universiti Sains Malaysia (USM), Prof. Zainuriah Hassan, pada 18-19 Mei 2026 di Ruang Rapat Lantai 10, SFD Tower A UNJ. Kegiatan ini merupakan bagian dari komitmen FT UNJ dalam memperkuat internasionalisasi pendidikan, pengembangan riset, serta peningkatan kualitas akademik berbasis kolaborasi global. Program tersebut juga menjadi wadah pertukaran pengetahuan dan pengalaman akademik antara pakar internasional dengan sivitas akademika Fakultas Teknik UNJ.

Kegiatan dibuka secara resmi oleh Wakil Dekan Bidang Riset, Inovasi, Sistem Informasi dan Kerja Sama FT UNJ, Himawan Hadi Sutrisno. Dalam sambutannya, ia menyampaikan bahwa program Visiting Professor merupakan salah satu langkah strategis Fakultas Teknik UNJ dalam menghadirkan perspektif global ke lingkungan akademik. Melalui kegiatan ini, sivitas akademika memperoleh kesempatan untuk berdiskusi langsung dengan akademisi internasional yang memiliki pengalaman, rekam jejak penelitian, dan kontribusi signifikan dalam bidang teknologi mutakhir.

Pada sesi utama, Prof. Zainuriah Hassan menyampaikan kuliah bertajuk “Innovative Advances in Wide Band Gap Semiconductor Technology” yang membahas perkembangan teknologi semikonduktor berbasis material wide band gap semiconductor, khususnya Gallium Nitride (GaN) dan Zinc Oxide (ZnO). Dalam pemaparannya, Prof. Zainuriah menjelaskan bahwa material semikonduktor generasi baru tersebut memiliki kemampuan beroperasi pada tegangan tinggi, temperatur tinggi, serta frekuensi tinggi, sehingga berpotensi menjadi solusi atas keterbatasan teknologi berbasis silikon konvensional. Material tersebut memiliki prospek aplikasi yang luas pada pengembangan perangkat modern seperti LED hemat energi, sensor, perangkat optoelektronik, elektronik daya, komunikasi frekuensi tinggi, hingga teknologi sel surya generasi ketiga.

Selain membahas konsep fundamental dan perkembangan global teknologi semikonduktor, Prof. Zainuriah juga memaparkan berbagai capaian riset yang telah dikembangkannya selama lebih dari tiga dekade. Penelitian tersebut meliputi pengembangan GaN on GaN LED technology, nanostruktur semikonduktor, sensor berbasis GaN, fotodetektor, serta teknologi fotovoltaik berbasis InGaN. Berbagai inovasi tersebut telah menghasilkan publikasi ilmiah bereputasi internasional, paten teknologi, serta kolaborasi strategis dengan institusi akademik dan industri di tingkat global.

Melalui kegiatan Visiting Professor ini, FT UNJ menegaskan komitmennya untuk terus memperluas jejaring akademik internasional serta mendorong penguatan riset dan inovasi di bidang teknologi maju. Kehadiran Prof. Zainuriah Hassan diharapkan dapat membuka peluang kolaborasi riset, publikasi internasional, dan pengembangan teknologi bersama antara UNJ dan Universiti Sains Malaysia, sekaligus menginspirasi sivitas akademika untuk terus berkontribusi dalam pengembangan ilmu pengetahuan dan teknologi yang berdampak global.